SUMÁRIO

1 INTRODUÇÃO ............................................. 4 2 CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS ............................................. 5 3 MATERIAL SEMICONDUTOR ............................................. 7
3.1 Definição ............................................. 7
3.2 Processo de Produção ............................................. 7
3.3 Aplicações ............................................. 8 4 BIOMATERIAL ............................................. 9
4.1 Definição ............................................. 9
4.2 Exemplos de aplicações ............................................. 9 5 MATERIAIS DO FUTURO ............................................. 11
5.1 Definição …exibir mais conteúdo…

Esses materiais podem ser classificados como:
- Semicondutores intrínsecos: aqueles que são encontrados na forma pura, sem impurezas (outros elementos).
- Semicondutores extrínsecos: aqueles que possuem certas impurezas na sua composição, para controlar as suas propriedades elétricas.

3.2 Processo de Produção
Os semicondutores são utilizados em função das suas características elétricas peculiares.
Um dos processos chamado de oxidação refere-se ao processo químico no qual o oxigênio reage com o silício para formar o dióxido de silício (SiO2). Para se alcançar uma camada contínua e de alta qualidade de SiO2, usa-se a oxidação térmica onde a temperatura do wafer varia de 1000º C a 1200ºC.
Um filme de SiO2 de baixa qualidade pode ser obtido através de outros processos. A oxidação é um dos passos mais freqüentes no processo de fabricação do Circuito Integrado e é usada como:
1. máscara, durante a difusão do dopante,
2. passivação,
3. óxido isolante e
4. dielétrico de Gate de dispositivos MOS.
A oxidação térmica é obtida expondo-se o silício a uma alta temperatura em um ambiente contendo oxigênio de alta pureza. A oxidação pode ser seca ou molhada, usando-se vapor de água. A oxidação usando vapor de água é mais rápida, porém a oxidação usando oxigênio conduz a melhores características elétricas. A espessura da camada de SiO2 varia de 0,02µm a 2µm, sendo a temperatura do processo, a