Dispositivos Optoeletrônicos

2912 palavras 12 páginas
DISPOSITIVOS

OPTOELETRÔNICOS

CURSO:
Técnico em Eletromecânica - Subsequente
MÓDULO:
III
DISCIPLINA:
Eletrônica II
ALUNOS:

PROFESSOR:
Luciano Silva

Introdução
O campo moderno da optoeletrônica é extremamente vasto, abrangendo o estudo dos dispositivos cujo funcionamento envolve fenômenos ópticos e elétricos, como os diversos tipos de células fotossensíveis, geradores de luz, moduladores, displays, etc. Nos restringiremos ao estudo dos dispositivos emissores e detectores de luz.

Definição
Optoeletrônica é o estudo e aplicação de equipamentos eletrônicos que fornecem, detectam e controlam luz. No que remete a utilização da luz, inclui-se todas as faixas do espectro desde formas invisíveis de radiação como
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Em função do tipo de energia que é liberada podem se distinguir dois tipos de recombinação:
Recombinação não radiante: A maioria da energia de recombinação se libera como energia térmica.
Recombinação radiante: A maioria da energia de recombinação se libera em forma de luz.

Eficácia Quântica Interna (QS)

A eficácia quântica interna (Qs) determina a relação entre o número de fótons gerados e o número de portadores (elétrons e buracos) que atravessam a junção P-N e que conseguem se recombinar.
Qs = fótons gerados / elétrons e buracos recombinados

Este parâmetro deve ser próximo ao valor 1, porque o número de elétrons e buracos recombinados deve produzir o mesmo número de fótons. O valor da eficácia quântica interna depende das probabilidades relativas dos processos de recombinação radiante e recombinação não radiante, que por sua vez dependem da estrutura da união, do tipo de impurezas, e principalmente do material semicondutor.

Eficácia Quântica Externa (Qext)

No entanto, a obtenção de uma alta eficácia quântica interna não garante que a emissão de fótons do LED seja alta. A radiação gerada na junção é radiada em todas as direções. É essencial que esta radiação gerada no interior do material possa sair dele. Chama-se eficácia quântica externa (Qext), à relação entre o número de fótons emitidos e o número de portadores (elétrons e buracos) que atravessam a junção P-N e conseguem se recombinar.
Qext =

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