Andres Felipe Melo Manrique
Tec. Electronica y Telecomunicaciones
Codigo:33000518

Transistores de potencia.
Los transisitores de potencia tienen características de encendido y apagado. Los transistores, que se utilizan como elementos de conmutación, se operan en la región de saturación, y producen una pequeña caída de voltaje en el estado de encendido. La velocidad de conmutación de los transistores modernos es mucho mayor que le de los tiristores y se emplean frecuentemente en convertidores cd-cd y cd-ca, con diodos conectados en paralelo inveso para proporcionar flujo bidireccional de corriente. Sin embargo, sus especificaciones nominales de voltaje y corriente son menores que las de los tiristores y normalmente los transisitores …ver más…

EN LOS ACCIONAMIENTOS PARA MOTORES TRABAJAN EN CONMUTACIÓN

BJT: Bipolar Junction Transistor. Transistor bipolar constituido por la unión de dos materiales con capacidades opuestas para polarizarse (uniones NP O PN).
Los transistores bipolares pueden ser PNP o NPN

FET: Field Effect Transistor. Transistor de efecto de campo. Está formado por una barra de material semiconductor de silicio tipo P o N en cuyos extremos se establece un contacto óhmico. También se les conoce como transistores unipolares.
En los de canal N la conducción la producen e- en los de canal P huecos. Hay 3 tipos:

• JFET Junction Field Effect Transistor
• MESFET Metal Semiconductor Transistor
• MOSFET Metal Oxide Semiconductor Transistor

IGBT : Isolated Gate Bipolar Transistor. Transistor bipolar de puerta aislada. Presenta la ventaja de que la puerta se comporta como la de un transistor MOSFET lo que facilita su gobierno. Es más robusto que el MOSFET y soporta tensiones y corrientes más elevadas aunque su frecuencia de conmutación es más baja

TRANSISITOR BJT

El BJT (“Bipolar Junction Transistor”), fue introducido a principios de los años 80, en el BJT la señal