UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER
LABORATORIO DE ELECTRONICA II

PROFESOR: LUIS ELIECER HERNANDEZ MERCHAN
PRACTICA 1. FAMILIARIZACIÓN CON EL TRANSISTOR
OBJETIVOS: Determinar experimentalmente las características de los transistores bipolares.
FINALIDADES
* Determinar las características eléctricas de los transistores bipolares mediante la utilización de la guía maestra de semiconductores con las especificaciones dadas en los manuales del fabricante. * Encontrar el reemplazo de un transistor bipolar por otro de características similares utilizando para ello la Guía Maestra de Reemplazos de Semiconductores ECG. * Identificar los terminales de un transistor bipolar.

EQUIPOS Y MATERIALES:
Multímetro digital …ver más…

PROCEDIMIENTO: 1. Consulte en las tablas 1.1, 1.2, las especificaciones dadas a continuación, para los transistores 2N3904, 2N3906. Elabore un cuadro comparativo.

| 2N3904 | 2N3906 | unidades | Tipo de transistor | NPN | PNP | | Material semiconductor | silicio | silicio | | Apariencia física, Identificación de los terminales | | Voltaje de ruptura (BVCEO) | 40 | 40 | Vdc | Voltaje de ruptura (BVCBO) | 60 | 40 | Vdc | Voltaje de ruptura (BVEBO) | 6 | 5 | Vdc | Corriente de colector máxima (IC) | 200 | 200 | mA | Máxima disipación de potencia TA = 25  C (PD) | 350 | 625 | mW | | | | | IC = 1 mA, VCE = 10 V | hFE, mín | 70 | 80 | | hFE, máx | | | | hie, mín. | 1,0k | | ohmios | hie. máx | 10k | | ohmios | hre, mín | 0,5 | | | hre, máx | 8 | | | hfe, mín | 100 | | | hfe, máx | 400 | | | hoe, mín | 1 | | msimmens | hoe, máx | 40 | | | fT,mín | 300 | | Mhz | fT,máx | | | |

2. Consulte la Guía Maestra de Semiconductores ECG (ECG Semiconductor Master Replacement), en donde encontrará información relacionada con transistores ECG que pueden reemplazar a uno en particular y no para encontrar las características específicas de este último.
En la parte final del manual encontrará ordenados alfabética y numéricamente, de acuerdo con la referencia específica del transistor que puede