COLEGIO MODELO POLITÈCNICO

TELEINFOMÀTICA

CUBO LED 3D

MEDINA CAICEDO JUAN OMAR

Tutor: Cevallos Pablo.ing

19/01/12

Contenido

RESUMEN
INTRODUCCIÒN
CAPITULO 1. TEORÌA
1.1 SEMICONDUCTORES
1.1.1 SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
1.1.2 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
1.1.3 SEMICONDUCTOR TIPO N
1.1.4 SEMICONDUCTOR TIPO P 1.2 DIODO
1.2.1 DIODO TERMOIÓNICO Y DE ESTADO GASEOSO
1.2.2 DIODO SEMICODUCTOR
1.2.3 PORALIZACIÒN DIRECTA DE UN DIODO
1.2.4 PORALIZACION INVERSA DE UN DIODO
1.2.5 MODELOS MATEMÀTICOS
1.3 LED DE ALTA LUMINISENCIA
1.3.1 FUNSIONAMIENTO FÌSICO
1.3.1 CONEXIÓN
CAPITULO 2. CIRCUITO Y CUBO
2.1 DISEÑO DEL CIRCUITO
2.2 ARMADO DEL CIRCUITO
2.3 PROGRAMACION DEL CIRCUITO
2.4 ARMADO DEL CUBO LED
CAPITULO …ver más…

Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia . Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p
Siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (25Oc): ni(Si) = 1.5 1010cm3 ni(Ge) = 2.5 1013cm3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de