UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE
CENTRO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E INFORMÁTICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

Experimento 5
Transistor MOSFET

LABORATÓRIO DE
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
Guia de Experimentos

Experimento 5 – Características e Aplicações de Transistores de Efeito de Campo (FET)
Objetivo
Os experimentos de laboratório aqui apresentados têm por objetivo familiarizar-se com o estudo das características básicas do transistor de efeito de campo
(MOSFET) e iniciar a exploração de algumas de suas aplicações fundamentais
(amplificadores, portas lógicas).

Introdução Teórica
Transistor de Efeito de Campo
Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um …exibir mais conteúdo…

A tensão porta-fonte, abaixo da qual, a corrente no canal dreno-fonte é nula. Nos catálogos dos fabricantes, denotada por VGS(OFF) ou Vt.

•

gm - a transcondutância

O valor de gm diz quanto a corrente AC mudará quando se aplica uma tensão portafonte AC. gm é medido em Siemens (S).
Normalmente também são fornecidos pelos fabricantes vários outros parâmetros relacionados com a capacitância do dispositivo, tensão de ruído, tempos para ligar e desligar e potência de operação.

O FET de Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET)
A estrutura básica e o símbolo dos MOSFETs de canal N e canal P tipo depleção são mostrados nas Figura 1a e 1b respectivamente. As Figuras 1c e 1d mostram a estrutura básica e o símbolo dos MOSFETs de canal N e canal P tipo acumulação. Metal
Porta

Fonte

N

D

Dreno

N

N

Substrato tipo P

G

Óxido isolante S

(a)
Metal
Porta

Fonte

N

P

D

Dreno

N

Substrato tipo N

G

Óxido isolante S

(b)

Metal
Fonte
Porta

D

Dreno
Óxido
isolante

N

G

N

Substrato tipo P

S
(c)

Metal
Fonte
Porta

D

Dreno
Óxido
isolante

P

P

Substrato tipo N

G
S

(d)
Figura 1 – Diagrama esquemático e símbolo do MOSFET: (a) tipo depleção canal N;
(b) tipo depleção canal P; (c) tipo acumulação canal N; (d) tipo acumulação canal P.

A diferença básica entre os MOSFETs tipo acumulação e depleção está no canal, ou seja, no modo acumulação para se formar o