TECNICAS DE FABRICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
Hasta ahora hemos estudiado circuitos discretos. La palabra discretos quiere decir separados o distintos. Y se refiere al uso de transistores y resistores separados en la construcción de circuitos. Un circuito discreto es aquel en el cual todos los componentes se han soldado o conectado mecánicamente en alguna otra forma.
La invención del circuito integrado (CI) en la década de los 60 fue un descubrimiento muy importante ya que supero la necesidad de conectar mecánicamente los componentes discretos. Para empezar, un CI es un dispositivo que cuenta con sus propios transistores y resistores. Estos componentes internos no son discretos, sino que están integrados. Esto significa que se …ver más…

Esta producción en masa es la razón del bajo costo de los circuitos integrados.
La forma en que sé horma un transistor integrado es la siguiente. Una sección del SiO2 se desprende, quedando expuesta parte de la capa epitaxial de la siguiente figura.
Fig. a)
La oblea entonces se coloca en un horno donde átomos trivalentes se difunden en la capa epitaxial. La concentración de átomos trivalentes es suficiente para transformar la capa epitaxial expuesta de material p en material n. Por consiguiente, se tiene una isla de material n bajo la capa de SiO2 de la siguiente figura.
Fig. b)
Se vuelve a soplar otra vez oxigeno para formar la capa completa de SiO2 mostrada en la siguiente figura.
Fig c)
Un hueco se forma a continuación en la capa de SiO2, quedando expuesta la capa epitaxial n ver la siguiente figura.
Fig d)
Al hueco en la capa de SiO2 se le denomina ventana. La capa que se mira a a través de la ventana será el colector del transistor. Para formar la base, se pasan átomos trivalentes a través de la ventana; esas impurezas se difunden en la capa epitaxial y forman una isla de material tipo p ver la siguiente figura.
Fig. e)
Se vuelve a formar una capa de SiO2 pasando oxigeno sobre la oblea ver siguiente figura.
Fig. f)
Para formar el emisor, se forma una ventana en la capa de SiO2, quedando expuesta una isla de material tipo p ver la siguiente figura.
Fig. g)
Difundiendo