Respuesta del punto 4 del trabajo anterior.
Como el electrón de valencia es atraído muy débilmente por la parte interna, una fuerza externa puede liberarlo fácilmente, por eso es un buen Conductor. Nos referiremos a ese electrón de valencia, como electrón libre. Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrón en la órbita de valencia.

1.3 Enlace covalente y materiales intrínsecos

1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y en qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de galio.

El cobre es un buen conductor de electricidad y de calor ya que en su última orbita posee solo un electrón y al estar los átomos bien …ver más…

¿Cuánta energía en joule se requiere para mover una carga de 6 C a través de una diferencia de potencial de 3 V?

V = J/C J = V*C

J = 3V*6C = 18 J

5. Si se requieren 48 eV de energía para mover una carga a través de una diferencia de potencial de
12 V, determine la carga implicada.

C = J/V
1 eV = 1,60x10-19 J C = 7.68x10-18 J / 12V = 6,4x10-19 C
48 eV = 7.68x10-18 J

6. Consulte su biblioteca de referencia y determine el nivel de Eg para GaP y ZnS, dos materiales semiconductores de valor práctico. Además, determine el nombre escrito para cada material.

Material Símbolo Band gap (Eg)
Fosfuro de galio (III)
GaP 2.26 eV
Sulfuro de cinc
ZnS 3.6 eV

1.5 Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p

7. Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.

Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado si agregas impurezas del grupo IIIA, entre los cuales está el Boro, permitiendo la formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, mientras que en un Tipo N dopa el semiconductor si agregas impurezas del grupo VA, entre los cuales está el Fosforo, permitiendo la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos.

8. Describa la