Electronica
La comente inversa de saturación se duplica cuando la temperatura de la unión se incrementa 54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensión inversa aumenta
PROBLEMAS SECCION 2
1. ¿Cual es la carga neta de un átomo de cobre si gana tres electrones? 2. ¿Cuanto vale la carga neta de un átomo de silicio si pierde todos sus electrones de valencia? 3. Clasifique cada uno de los siguientes como un conductor o semiconductor:
a) Germanio c) Silicio
b) Plata d) Oro 4. Un diodo esta polarizado en directa. Si la corriente es 5 mA a través del lado n, ¿cual es la carga a través de cada uno de los siguientes:
a) Lado p
b) Cables de conexi6n externos
c) Uni6n 5. Clasifique cada uno de los siguientes como un semiconductor tipo n o tipo p:
a) Dopado por un atomo aceptador :tipo p
b) Cristal con impurezas pentavalentes: tipo n
c) Los portadores mayoritarios son huecos: tipo p
d) Se añadieron 6tomos donadores al cristal: tipo n
e) Los portadores minoritarios son electrones: tipo p 6. Un diseñador debe utilizar un diodo de silicio entre las temperaturas de 0 °C a 75 °C. ¿Cuales serán los valores mínimo y máximo de la barrera de potencial?
Diodo silicio = 0.7 V;
7. Un diodo de silicio tiene una corriente de saturación de 10 nA a 25 °C. Si debe funcionar en el rango de 0 °C a 75 °C, ¿cuales serán los valores máximos y mínimos de la comente de saturación? 8. Un diodo presenta