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Dispositivos fotoelétricos de dos terminales. Características básicas



Partes: 1, 2

    1. Materiales
      y equipo utilizado
    2. Marco
      teórico
    3. Procedimiento
    4. Cuestionario
      final
    5. Bibliografía

    OBJETIVOS

     

    • Verificar las características de funcionamiento de
      un LED.

    • Verificar las características de funcionamiento de
      un LDR.

    • Verificar lãs característica de
      funcionamiento de un fotodiodo.

    MATERIALES Y
    EQUIPO UTILIZADO

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    MARCO
    TEÓRICO

    DIODO FOTOELÉCTRICO

    También conocidos como Fotodiodos, son unos
    dispositivos semiconductores
    construidos a base de una unión P-N, sensible a la
    incidencia de la luz visible o
    infrarroja.

    Su funcionamiento esta basado en el fenómeno inverso de
    los LED, es decir, que en este caso se produce una
    separación de huecos y electrones, como consecuencia de la
    absorción de la energía de la luz incidente sobre
    la estructura del
    semiconductor.

    • REGIÓN DE
      TRANSICIÓN

    Suponiendo un fotodiodo inversamente polarizado por la
    acción
    de una tensión exterior, se generará en el mismo
    una región de transición, similar a la del caso de
    un diodo convencional, en las zonas próximas a la
    superficie de contacto entre el lado P y el N. En esta
    región es donde estará aplicada la gran
    mayoría de la tensión externa, ya que es la zona de
    máxima resistencia de la
    estructura.

    Si el fotodiodo recibe una radiación
    luminosa, se producirá la separación de cargas,
    antes citada, en cualquiera de las tres regiones: P,
    región de transición y N. En las zonas P y N, estas
    cargas se recombinarán, ya que no existe una
    tensión eléctrica que las pueda hacer circular, por
    lo tanto no ejercerán ninguna influencia. Sin embargo, las
    cargas eléctricas, en forma de huecos y electrones
    producidas en la región de transición se
    separarán rápidamente, forzadas por la
    tensión aplicada, dirigiéndose los huecos hacia el
    lado P y los electrones hacia el lado N, dando lugar a la
    circulación de una corriente
    eléctrica.

    El fenómeno será tanto mayor cuanto más
    ancha sea la región de transición, por lo tanto en
    la fabricación de estos componentes se recurre a producir
    una zona de elevada resistividad a base de introducir entre la
    región P y la N una tercera zona semiconductora sin dopar
    o en estado
    intrínseco l, formándose un diodo P-l-N.

    La estructura geométrica del fotodiodo es vertical, de
    forma que la capa N es la inferior, sobre ella se encuentra la
    zona l y en la parte superior la P por tanto la luz incide en
    esta última capa que debe ser atravesada para poder alcanzar
    la zona activa.

    DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

    El principio de los LED consiste en la emisión de una
    radiación luminosa por un elemento en estado sólido
    cuando se le somete a una determinada polarización
    eléctrica, excluyendo los efectos comunes de
    emisión de luz como consecuencia de la aplicación
    de una temperatura
    levada (filamentos de las bombillas de iluminación doméstica).

    Una forma de emisión de radiación luminosa por
    un sólido se produce en la pantalla de un tubo de rayos
    catódicos, cuando los fósforos que la recubren son
    sometidos a un bombardeo electrónico producido por la
    incidencia del haz catódico.

    Sin embargo, el efecto que se va a analizar es la
    electroluminiscencia de una unión P-N similar en la mayor
    parte de sus propiedades a la de un diodo convencional.

    Este fenómeno fue detectado en el año 1.923 por
    Lossew. Más recientemente, en el año 1.962, algunos
    estudios y experiencias realizadas con el material denominado
    Arseniuro de Galio (Ga As) demostraron que era posible obtener
    unos elevados niveles de emisión luminosa partiendo de
    uniones P-N.

    • RECOMENDACIÓN

    El efecto físico de la emisión de luz se genera
    en el interior de la unión P-N en el instante en que se
    produce una recombinación de un hueco con un
    electrón, este efecto puede estar o no acompañado
    de una radiación
    electromagnética, fruto de la energía liberada
    durante dicho fenómeno. En el caso de los semiconductores
    comunes no existe esta radiación y la energía se
    transforma en calor.

    Los diodos
    luminiscentes aprovechan este fenómeno y generan
    radiaciones, comprendidas generalmente dentro del espectro
    visible, o fuera del mismo como es el caso de los infrarrojos. La
    frecuencia de la radiación depende de los materiales
    utilizados en la unión P-N, con lo que pueden obtenerse
    diferentes colores, variando
    la composición de los mismos.

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