Dispositivos de potencia de estado sólido (Gp:)
Electrónica de comunicaciones (Gp:) Electrónica
Analógica
Dispositivos de potencia de estado sólido (Gp:)
Electrónica Digital (Gp:) Instrumentación
Electrónica,Bioinstrumentación
Dispositivos de potencia de estado sólido
Introducción: tipos de electrónica (Gp:)
Electrónica de Dispositivos y Microelectrónica
(Gp:) A (Gp:) B (Gp:) Electrónica de Potencia
Dispositivos de potencia de estado sólido
Introducción: Transformación de la energía
eléctrica Fuente Primaria – Red – Baterías –
Paneles solares – Generadores Eólicos – Etc. Circuito de
Potencia Carga Circuito de Control o mando – Resistencia –
Baterías – Lámparas – Motores – Etc. gobierno
información
Dispositivos de potencia de estado sólido
Introducción: Tipos de conversión de la
energía (Gp:) CA / CC (Gp:) CC / CC (Gp:) CA / CA (Gp:) CC
/ CA (Gp:) Rectificador (Gp:) Regulador de continua (Gp:)
Cicloconvertidor Reg. alterna (Gp:) Inversor
Dispositivos de potencia de estado sólido
Introducción: Rangos de potencia según
aplicación Media: 100W – 1kW Cargadores de
Baterías Balastos Eléctrícos (HID) Secadores
industriales Reguladores de Velocidad Baja: <100W Alarmas
Balastos Electrónicos Fuentes de alimentación
Herramientas Eléctricas Motores pequeños. Alta: 1kW
– 100kW Equipos de rayos X. Tomógrafo Secadores
Soldadura automática Resonadores magnéticos Muy
Alta: 100kW – 100MW Reguladores de Tomas (Alta
tensión) Inversores para generadores Inversores no
autónomos para generadores
Clasificación: Diodos de potencia: uso general, de alta
velocidad y Schottky. Tienen ánodo y cátodo, su
voltaje de juntura va de 0.5 V a 1.2 V y cuando se polariza en
inverso está en bloqueo. Dispositivos de potencia de
estado sólido
Clasificación: 2. Tiristores: Dispositivos de tres
terminales (ánodo, cátodo y compuerta). SCR, diac,
triac, cuadrac, desactivado por compuerta GTO, de
conducción inversa RCT, activadors por luz LASCR, etc.
Dispositivos de potencia de estado sólido
Clasificación: 3. Transistores bipolares, BJT, de
potencia: trabajan hasta 1400 V y 400 A. Por lo general operan
como interruptores en emisor común. Dispositivos de
potencia de estado sólido
Clasificación: 4. MOSFET de potencia: Se emplea en
aplicaciones de potencia de alta velocidad. Trabajan en rangos de
1000V y 50A. Son sensibles a la estática. Dispositivos de
potencia de estado sólido
Clasificación: 5. Transistores bipolares de compuerta
aislada IGBT: Son controlados por voltaje, son más
rápidos que los BJT. 1200 V y 400 A. Dispositivos de
potencia de estado sólido
Comparación de desempeño Dispositivos de potencia
de estado sólido (Gp:) 102 (Gp:) 107 (Gp:) 105 (Gp:) 104
(Gp:) 103 (Gp:) 106 (Gp:) MARGEN DE POTENCIA (V·A) (Gp:)
IGBT (Gp:) MOSFET (Gp:) 10 102 103 104 105 106 107 108 (Gp:) GTO
(Gp:) SCR (Gp:) BJT (Gp:) FRECUENCIA (Hz)
Montaje físico Dispositivos de potencia de estado
sólido (Gp:) Disipador (Gp:) Tuerca (Gp:) Tiristor (Gp:)
Montaje 1 (Gp:) Montaje 2 (Gp:) Disipador (Gp:) Tuerca (Gp:)
Transistor
Montaje físico Dispositivos de potencia de estado
sólido (Gp:) Montaje 3 (Gp:) Radiador (Gp:)
Press-package
DIODO SHOCKLEY: Es un diodo especial que se construye con 4 capas
semiconductoras. Diodos de potencia
DIODO SHOCKLEY: Modelo de cuatro capas Diodos de potencia
DIODO SHOCKLEY: Operación básica Diodos de
potencia
DIODO SHOCKLEY: Ecuaciones características: Diodos de
potencia
DIODO SHOCKLEY: Operación básica Diodos de potencia
Apagado, región de bloqueo Encendido región de
conducción en directa Corriente de retención
Voltaje de ruptura en directa
DIODO SHOCKLEY: Aplicación: oscilador de relajación
Diodos de potencia