Epígrafe
""Hay una fuerza motriz más
poderosa que el vapor, la electricidad y la energía
atómica: la voluntad.""
Introducción
El trabajo a realizarse pretende realizar
un resumen acerca algunos de los tipos de transistores
existentes, en cuanto a sus características, su principio
de funcionamiento (principios básicos), sus modos de
conexión más comunes y las aplicaciones como el
caso de los transistores bipolares y Transistor de efecto campo
(FET).9
Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término "transistor"
("resistencia de transferencia"). Actualmente se les encuentra
prácticamente en todos los enseres domésticos de
uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de
audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras,
reproductores mp3, celulares, etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio)
y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicos)
que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que
está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de
dichos portadores (base). El transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada.
Tipos de
Transistor
Transistor de contacto
puntual
Primer transistor, consta de una base de germanio
semiconductor, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve"
en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a
mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas)
y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión
bipolar
El transistor de unión, se fabrica
básicamente sobre un monocristal de Germanio o Silicio,
que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN
o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas)
y la zona P de aceptadores (cargas positivas). Normalmente se
utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio
(Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o
Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como
resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la característica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo
y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación (impurezas adicionadas intencionalmente)
entre ellas (por lo general, el emisor está mucho
más contaminado que el colector).
Transistor de efecto de
campo
El transistor de efecto campo es una familia de
transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando
las técnicas de procesado de semiconductores habituales,
empleando la oblea monocristalina semiconductora como la
región activa o canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos
son los JFET, MOSFET y MISFET.
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz
incide sobre la región de base, generando portadores en
ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de
conducción. El fototransistor es más sensible que
el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del
transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común,
con la diferencia que el primero puede trabajar de 2
formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib
(modo común).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en
este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de
iluminación).
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas
perforadas, lápices ópticos, etc. Para
comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar
detectores con fotodiodos p-i-n. También se pueden
utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman
parte de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con
un LED, formando interruptores ópticos (opto-switch), que
detectan la interrupción del haz de luz por un objeto.
Existen en dos versiones: de transmisión y de
reflexión.
Disipadores de calor
Un disipador es un componente metálico
generalmente de aluminio que se utilizan para evitar que los
transistores bipolares se calienten y se dañen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un
transistor es deshacerse del calor interno del
encapsulado.
Transistor de potencia
Son similares a los transistores comunes, con la
diferencia que soportan altas tensiones e intensidades que
soportan, pero debido a ello también tienen que disipar
altas potencias y su recalentamiento es prolongado; para evitar
el sobrerecalentamiento se usa los disipadores.
Tipos de transistores de potencia:
– Bipolar.
– Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
– IGBT (Transistor bipolar de puerta
aislada).
Conclusiones
En cuanto lo expuesto vemos que los transistores se
encuentran en la gran mayoría de productos
electrónicos como: Smartphone, Celulares, Laptop, Tablets,
etc.
Por ende su uso es indispensable en todo tipo de
aparatos electrónicos, debido a su variedad en tipo como
lo son los transistores bipolares.
Por lo dicho, llegamos a la conclusión de que los
transistores en su uso actual son indispensables para la
elaboración de aparatos de tecnología que requieren
algún tipo de transferencia, la cual lo ofrece un
transistor.
Dedicatoria
Doy mis saludos a mis compañeros que
ayudaron a que se completara parte de este trabajo y a la vez a
nosotros que llegamos a terminar este trabajo sin
complicaciones.
Autor:
Candela Guerrero Valeria
Coraje Bayona Milagros
Roque Valdiviezo Milagros
Juarez Quintana Hristo
UNIDAD DIDACTICA: Reparación de equipos de
computo
PROFESOR: Luis Eduardo Sanz Signori
SEMESTRE: 2014 – II
SECCION: IIA – 10