Atps de eletrônica de potência

7571 palavras 31 páginas
FACULDADE ANHANGUERA DE TAUBATÉ

Eletronica de Potência

Engenharia Elétrica – 7o. semestre

Clarine Alves Pereira, | 0919440139 | Danilo Rodrigo Mattos, | 0930427960 | Erick Walker Cazari Casagrande, | 0901343063 | Ivan José de Oliveira Toledo, | 0901358866 | José Valter do Rosário | 0901367320 |

Taubaté
2012

Diodo
Um diodo semicondutor é um componente que, dentro de seus limites, permite a passagem de corrente em um único sentido, são fabricados de silício ou germânio, dopados com impurezas do tipo N(fósforo ou arsênico) ou P (boro ou gálio), formando assim uma junção P-N (figura 1). Em sua maioria os diodos são construídos com silício, pois podem operar com correntes maiores e temperatura mais
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Diodos rápidos possuem trr da ordem de, no máximo, poucos micro-segundos, enquanto nos diodos normais é de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, após o bloqueio, devido à sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo já estar desligado, é uma fonte importante de sobre-tensões produzidas por indutâncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenômeno foram desenvolvidos os diodos “soft-recovery”, nos quais esta variação de corrente é suavizada, reduzindo os picos de tensão gerados.

Diodos Schottky
Quando é feita uma junção entre um terminal metálico e um material semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento ôhmico, ou seja, a resistência do contato governa o fluxo da corrente. Quando este contato é feito entre um metal e uma região semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando a haver também um efeito retificador.
Um diodo Schottky é formado colocando-se um filme metálico em contato direto com um semicondutor, como indicado na figura 5

Figura 5

O metal é usualmente depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte metálica será o anodo e o semicondutor, o catodo. Numa deposição de Al (3 elétrons na última camada), os elétrons do semicondutor tipo N migrarão para o metal, criando uma

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