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241$.'/#5

FGVTCPUKUVQTGU('6

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','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU,('6

3UREOHPD

D Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) está unido al terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensión en el dispositivo se denomina Y, y la corriente a través de él se denomina L, demostrar que:

L

L

ª § Y · § Y ·º
¸ ¨ ¸ »,
, '66 « ˜ ¨¨
« ©  9 S ¸¹ ¨© 9 SW ¸¹ »
¬
¼

N  9 S ˜ Y  Y 


N ˜9

S



,

'66

para ( @ Y@ 9S  para YJ 9S 

,

E Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del transistor JFET está estrangulado.
6ROXFLyQ E …ver más…

D Hallar el valor de RD, RS, RG1 y RG2, sabiendo que RG=RG1 // RG2 = 90k: y que
VG=1.5V.
E Trazar la recta de carga estática, indicando el valor de su pendiente.
, P$

V D D = 1 5V

R G1

R G2



RD



RS



VG S = -2.0V



VG S = -1.5V



VG S = -1.0V



VG S = -0.5V







9$ 9

fig u ra F 1

6ROXFLyQ D 5' N:56 N:5* N:5* N:

3UREOHPD

D En el circuito de la figura se emplea un transistor JFET de canal n cuyos

parámetros característicos son Vp=-5V e IDSS=12mA. Hallar el valor de ID y VDS teniendo en cuenta que VDD=18V, RS=2k:, RD=2k:, RG1=400k:, RG2=90k:.

E Si se cambia la resistencia RG2, ¿cuál debe ser el nuevo valor de RG2 si ID=8mA?

F Con los mismos valores dados para al apartado D, pero cambiando el valor de VDD,

hallar el nuevo valor que debe tomar para que ID=8mA. ¿Cuál es el nuevo valor de
VDS?

G El circuito del apartado D se emplea para obtener una corriente de drenador
ID=2.5mA y una tensión drenador-fuente VDS=17.5V con una fuente de tensión
VDD=30V. Hallar el valor de RG1, RG2 y RD teniendo en cuenta que RG=RG1 // RG2 t
100k: y RS=1.2k:.
VDD

R G1

RD

R G2

RS

6ROXFLyQ D,' P$9'6 9E 5* N:F VDD=82.116V. VDS=50.116VG 5' N:



5* 0:5* N:

3UREOHPD

En el circuito de la figura, VDD=15V, VSS=-9V,