Parte I. La historia de las
computadoras
1. Del abaco a la tarjeta
perforada
1.1 El Abaco (5000 a la fecha)
1.2 La
Pascalina (1623 – 1662)
1.3 La locura de Babbage
(1834 – 1871)
1.4 La primera tarjeta perforada (1801 – a
la fecha)
2.Generaciones de computadoras
2.1 Primera
Generación (1951 – 1958)
2.2 Segunda Generación
(1959 – 1964)
2.3 Tercera Generación (1964 –
1971)
2.4 Cuarta Generación (1971 a la
fecha)
Parte II. Evolución de los chips de
memoria RAM
3. Conceptos básicos
3.1 Ordenador o
Computadora
3.2 Componentes de un Ordenador o
Computadora
3.3 Dispositivos de almacenamiento
externo
3.4 Memoria
3.5 Memoria de acceso
aleatorio o RAM
3.6 SIMM (Single In-line Memory
Module)
3.7 DIMM (Dual In-line Memory
Module)
3.8 SO-DIMM (Small Outline DIMM)
3.9
Dispositivos de almacenamiento interno
3.10
Microprocesadores y bus
4. Los tipos basicos de
memoria ram
4.1 RAM estática o SRAM
4.2 RAM
dinámica o DRAM
5. Organización interna de los
chips de memoria
5.1 Celda de memoria bipolar
5.2 Memoria
MOS
Parte III. Tipos de Memoria
RAM
6.
Tipos de memoria estatica
6.1 SRAM
6.2 Sync
SRAM
6.3 PB SRAM
7. Tipos de memoria
dinamica
7.1 DRAM
7.2 FPM
7.3 EDO
RAM
7.4 SDRAM
7.5 PC100 o SDRAM de 100
mhz
7.6 BEDO RAM
8. Las memorias mas
recientes
8.1 ESDRAM
8.2 SLDRAM
8.3
RDRAM
9.
Conclusión
10.
Bibliografía
Para comenzar el trabajo
decidimos hacer referencia acerca de la historia del
computador. Es un breve resumen de cómo surgió
todo esto, y de quienes fueron sus inventores.
Luego les hacemos saber algunas definiciones
básicas acerca del tema en general, como por ejemplo:
definición de ordenador, memoria, etc.,
para familiarizarnos con la terminología usada en este
artículo.
Se dará también una descripción
acerca de los tipos de
memoria más comúnmente usados en las computadoras.
Explicando brevemente su funcionamiento, velocidades de acceso y
equipos en los cuales son utilizadas.
Profundizaremos en el tipo de memoria RAMBUS, por ser
uno de las más actuales. La cual puede adquirir gran
importancia en el mercado, debido a
que cuenta con el apoyo de INTEL.
Finalmente, presentaremos las conclusiones a las cuales
se ha llegado.
I. La História de las
computadoras
1-Del abaco a la tarjeta
perforada
Quizá fue el primer dispositivo
mecánico de contabilidad
que existió. Se ha calculado que tuvo su origen hace al
menos 5000 años y su efectividad ha soportado la prueba
del tiempo.
El inventor y pintor Leonardo Da Vencí
(1452 – 1519) trazó las ideas para una sumadora mecánica. Siglo y medio después, el
filósofo y matemático francés Balicé
Pascal (1623
-1662) por fin inventó y construyó la primera
sumadora mecánica. Se le llamó Pascalina y
funcionaba como maquinaria a base de engranes y ruedas. A pesar
de que Pascal fue
enaltecido por toda Europa debido a
sus logros, la Pascalina, resultó un desconsolador fallo
financiero, pues para esos momentos, resultaba más costosa
que la labor humana para los cálculos
aritméticos.
Charles Babbage (1793 – 1871), visionario inglés
y catedrático de Cambridge, hubiera podido acelerar el
desarrollo de
las computadoras
si él y su mente inventiva hubieran nacido 100 años
después. Adelantó la situación del hardware computacional al
inventar la "máquina de diferencias", capaz de calcular
tablas matemáticas. En 1834, cuando trabajaba en
los avances de la máquina de diferencias, Babbage
concibió la idea de una "máquina analítica".
En esencia ésta era una computadora de
propósitos generales. Conforme con su diseño,
la máquina de Babbage podía sumar, substraer,
multiplicar y dividir en secuencia automática a una
velocidad de
60 sumas por minuto. El diseño
requería miles de engranes y mecánicos que
cubrirían el área de un campo de fútbol y
necesitaría accionarse por una locomotora. Los
escépticos le pusieron el sobrenombre de "la locura de
Babbage". Charles Babbage trabajó en su
máquina
analítica hasta su muerte.
Los trazos detallados de Babbage describían las
características incorporadas ahora en la
moderna computadora
electrónica. Si Babbage hubiera vivido en
la era de la tecnología electrónica, hubiera adelantado el
nacimiento de la computadora
electrónica por varias décadas. Ironicamente, su
obra se olvidó a tal grado, que algunos pioneros en el
desarrollo de
la computadora
electrónica ignoraron por completo sus conceptos sobre
memoria, impresoras,
tarjetas
perforadas y control de
programa de
secuencia.
1.4-La primera tarjeta
perforada
El telar de tejido, inventado en 1801 por el
Francés Joseph Marie Jackard (1753 – 1834), usado
todavía en la actualidad, se controla por medio de
tarjetas
perforadas. El telar de Jackard opera de la manera siguiente: las
tarjetas se perforan estratégicamente y se acomodan en
cierta secuencia para indicar un diseño de tejido
particular. Charles Babbage quiso aplicar el concepto de las
tarjetas perforadas del telar de Jackard en su motor
analítico. En 1843 Lady Ada Augusta Lovelace
sugirió la idea de que las tarjetas perforadas pudieran
adaptarse de manera que proporcionaran que el motor de Babbage
repitiera ciertas operaciones.
Debido a esta sugerencia algunas personas consideran a Lady
Lovelace la primera programadora.
Herman Hollerit (1860 – 1929). La oficina de censos
estadounidense no terminó el censo de 1880 sino hasta
1888. La dirección de oficina ya
había llegado a la conclusión de que el censo de
cada diez años tardaría más que los mismos
10 años para terminarlo. La oficina de censos
comisionó la estadística Herman Hollerit para que
aplicara su experiencia en tarjetas perforadas y llevara a cabo
el censo de 1890. Con el procesamiento de las tarjetas perforadas
de Hollerit, el censo se terminó en sólo 3
años y la oficina se ahorró alrededor de U$$
5,000,000 de dólares. Así empezó el
procesamiento automatizado de datos. Hollerit
no tomó la idea de las tarjetas perforadas del invento de
Jackard, sino de la "fotografía
de perforación". Durante décadas, desde mediados de
los cincuenta la tecnología de las
tarjetas perforadas se perfeccionó con la
implantación de más dispositivos con capacidades
más complejas. Dado que cada tarjeta contenía en
general un registro (Un
nombre, dirección, etc.), el procesamiento de la
tarjeta perforada se conoció también como
procesamiento de registro
unitario.
En 1946, se terminó de construir una computadora
electrónica
completamente operacional a gran escala, y se
llamó ENIAC (Electronic Numerical Integrator And Computer
– integrador numérico y calculador
electrónico). La ENIAC construida para aplicaciones de
la Segunda Guerra
mundial, se terminó en 30 meses por un equipo de
científicos que trabajan bajo reloj. La ENIAC, mil veces
más veloz que sus predecesoras electromecánicas,
irrumpió como un importante descubrimiento en la
tecnología de la computación. Pesaba 30 toneladas y ocupaba
un espacio de 450 metros cuadrados, llenaba un cuarto de 6m x 12m
y contenía 18,000 bulbos, tenía que programarse
manualmente conectándola a 3 tableros que tenían
más de 6,000 interruptores. Ingresar un nuevo programa era un
proceso muy
tedioso que requería días o incluso semanas. A
diferencia de las computadoras actuales que operan con el
sistema
binario (0,1) la ENIAC operaba con uno decimal (0,1,2..9). La
ENIAC requería una gran cantidad de electricidad. La
leyenda cuenta que la ENIAC, construida en la Universidad de
Pensilvania, bajaba las luces de Filadelfia siempre que se
activaba.
2-Generaciones de
computadoras
La evolución de las computadoras, se
subdividió en 4 generaciones:
2.1-Primera
Generación(1951-1958)
Las computadoras de la primera generación
emplearon bulbos para procesar información. Se ingresaban datos y programas en
código especial por medio de tarjetas perforadas. El
almacenamiento se
lograba con un tambor que giraba rápidamente, sobre el
cual un dispositivo de lectura/escritura
colocaba marcas
magnéticas. Esas computadoras de bulbos eran más
grandes y generaban más calor que los
modelos
contemporáneos. La IBM tenía el monopolio de
los equipos de procesamiento de
datos basándose en tarjetas perforadas y estaba
teniendo un gran auge en productos como
rebanadores de carne, relojes, etc.
2.2-Segunda
Generación(1959-1964)
Con el invento del transistor se
hizo posible una nueva generación de computadoras,
más rápidas, más pequeñas y con
menores necesidades de ventilación. Pero su costo
seguía siendo una porción significativa. Las
computadoras de la Segunda Generación también
utilizaban redes de núcleos
magnéticos en lugar de tambores giratorios para el
almacenamiento
primario.
2.3-Tercera
Generación(1964-1971)
Las computadoras de la Tercera Generación
emergieron con el desarrollo de los circuitos
integrados, que posibilitó la fabricación de
varios transistores en
un único sustrato de silicio. Los circuitos
integrados permitieron a los fabricantes de computadoras
incrementar la flexibilidad de los programas, y
estandarizar sus modelos. Las
computadoras nuevamente se hicieron más pequeñas,
más rápidas, desprendían menos calor y eran
energéticamente más eficientes.
2.4-Cuarta
Generación(1971 a la fecha)
Dos mejoras en la tecnología de las computadoras
marcan el inicio de la cuarta generación: el reemplazo de
las memorias con
núcleo magnético, por la de Chips de silicio y la
colocación de muchos más componentes en un Chip
(producto de la
microminiaturización* de los circuítos
electrónicos). Hoy en día las tecnologías
LSI(Integración a gran escala)y
VLSI(Integración a muy gran escala) permiten que
cientos de miles de componentes electrónicos se almacenen
en un chip. Además los investigadores intentan utilizar la
superconductividad (fenómeno de disminución de la
resistencia
eléctrica)
*Es la iniciativa que tiende a comprimir más
elementos de circuitos en
un espacio de chip cada vez más pequeño.
II-Evolución de los chips de memoria
RAM
Es un dispositivo electrónico capaz de recibir un
conjunto de instrucciones y ejecutarlas realizando
cálculos sobre los datos numéricos, o bien
compilando y correlacionando otros tipos de información.
El mundo de la alta tecnología nunca hubiera
existido de no ser por el desarrollo del ordenador o computadora.
Toda la sociedad utiliza
estas máquinas, en distintos tipos y tamaños, para
el almacenamiento y manipulación de datos. Los equipos
informáticos han abierto una nueva era en la
fabricación gracias a las técnicas de automatización, y han permitido mejorar los
sistemas modernos
de comunicación. Son herramientas
esenciales prácticamente en todos los campos de investigación y en tecnología
aplicada.
En la actualidad existen dos tipos de ordenadores:
analógicos y digitales. Sin embargo, el término
ordenador o computadora suele utilizarse para referirse
exclusivamente al tipo digital.
Las instalaciones que contienen elementos de ordenadores
digitales y analógicos se denominan ordenadores
híbridos. En un ordenador digital también pueden
introducirse datos en forma analógica mediante un
convertidor analógico digital, y viceversa(convertidor
digital a analógico).
3.2-Componentes de un
ordenador o computadora
En realidad, un ordenador digital no es una única
máquina, en el sentido en el que la mayoría de la
gente considera a los ordenadores. Es un sistema compuesto
de cinco elementos diferenciados: una CPU (unidad
central de procesamiento); dispositivo de entrada; dispositivos de
almacenamiento de memoria; dispositivos de salida y una
red de comunicaciones, denominada bus, que enlaza todos los
elementos del sistema y conecta
a éste con el mundo exterior.
Los sistemas
informáticos pueden almacenar los datos tanto interna (en
la memoria)
como externamente (en los dispositivos de
almacenamiento).
3.3-Dispositivos de
almacenamiento externo
Los dispositivos de almacenamiento externos, que pueden
residir físicamente dentro de la unidad de proceso
principal del ordenador, están fuera de la placa de
circuitos principal. Estos dispositivos almacenan los datos en
forma de cargas sobre un medio magnéticamente sensible,
por ejemplo una cinta de sonido o, lo que
es más común, sobre un disco revestido de una
fina
capa de partículas metálicas. Los
dispositivos de almacenamiento externo más frecuentes son
los disquetes y los discos duros,
aunque la mayoría de los grandes sistemas
informáticos utiliza bancos de
unidades de
almacenamiento en cinta magnética.
Son los circuitos que permiten almacenar y recuperar la
información. En un sentido más amplio, puede
referirse también a sistemas externos de almacenamiento,
como las unidades de disco o de cinta. Por lo general se refiere
sólo al semiconductor rápido de almacenaje(RAM) conectado
directamente al procesador.
3.5-Memoria de acceso
aleatorio o RAM
Es la memoria
basada en semiconductores
que puede ser leída o escrita por el microprocesador u
otros dispositivos de hardware. Es un
acrónimo del inglés
Random Access Memory, el
cual es bastante inadecuado puesto a que todas las pastillas de
memoria son accesibles en forma aleatoria, pero el término
ya se ha arraigado. El acceso a posiciones de almacenamiento se
puede realizar en cualquier orden. Actualmente la memoria RAM para
computadoras personales se suele fabricar en módulos
inestables llamados SIMM. Véase también Tipo de
RAM.
3.6-SIMM (Single In-line
Memory Module)
Consta de una pequeña placa de circuito
impreso con varios chips de memoria integrados. Los SIMM
están diseñados de modo que se puedan insertar
fácilmente en la placa base de la computadora, y
generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se
fabrican con diferentes capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb, etc.) y con
diferentes velocidades de acceso. Hoy en día su uso es muy
frecuente debido a que ocupan menos espacio y son más
manejables y compactos que los tradicionales chips de
memoria. Aparecen en dos formatos de 30 contactos los
cuales manejan 8 bits cada vez, miden unos 8.5 cm ó de 72
contactos que manejan 32 bits y tienen un largo de 10,5
cm.
3.7-DIMM (Single In-line
Memory Module)
Es otro tipo de encapsulado a diferencia del SIMM
aparece en con un formato de 168 conectores, de unos 13 cm de
longitud, los cuales pueden manejar 64 bits.
3.8-SO-DIMM (Small Outline
DIMM)
Consiste en una versión compacta del
módulo DIMM convencional, contando con 144 contactos y con
un tamaño, de aproximadamente de la mitad de un SIMM. Se
utiliza mucho en computadores portátiles.
3.9-Dispositivos de
almacenamiento internos
En dispositivos de almacenamiento internos las
instrucciones ó datos pueden almacenarse por un tiempo en los
chips de silicio de la RAM (Random Access Memory
– memoria de acceso aleatorio) montados directamente en la
placa de circuito principal de la computadora, o bien en chips
montados en tarjetas periféricas conectadas a la placa de
circuitos principal del ordenador.
Estos chips de RAM constan de conmutadores sensibles a
los cambios de la corriente eléctrica. Los chips de RAM
son como pedazos de papel en los
que se puede escribir, borrar y volver a utilizar.
Existe otro tipo de memoria interna, que son los chips
de silicio en los que ya están instalados todos los
conmutadores. Las configuraciones en este tipo de chips de ROM
(Read Only Memory – memoria de sólo lectura)
forman los comandos, los
datos o los programas que el ordenador necesita para funcionar
correctamente. Los chips de ROM son como un libro, con las
palabras ya escritas en cada página. La ROM también
llamada memoria fija, no puede cambiarse de ninguna manera. Las
ROM son mucho más baratas que las RAM cuando se piden en
grandes cantidades. Tanto la RAM como la ROM están
enlazados a la CPU a
través de circuitos.
Se le denomina microprocesador a
cualquier CPU contenida en una sola pastilla, aun cuando algunas
de ellas tengan la arquitectura y el
poder de
cómputo de pequeñas macrocomputadoras.
Se decidió tratar las CPU de una sola pastilla
por una buena razón: su relación con el resto del
sistema se encuentra bien definida. Una pastilla de
microprocesador típica tiene entre 40 y 132 patas, a
través de las cuales se establece su relación con
el mundo exterior. Algunas patas envían señales de
la CPU, otras aceptan señales del exterior y algunas
realizan ambas funciones. Si se
entiende la función de cada una de las patas, se aprende
como interacciona la CPU con la memoria y los dispositivos de E/S
al nivel de lógica
digital.
Las patas de una pastilla de microprocesador pueden
subdividirse en tres tipos: dirección, datos y control. Estas
están conectadas a patas similares en las pastillas de
memoria y de entrada/salida por medio de un conjunto de alambres
paralelos denominados bus.
El bus sirve como enlace de comunicación compartido entre los
subsistemas. Las dos principales ventajas de la
organización bus son el bajo costo y la
versatilidad. Al definir un sencillo esquema de
interconexión, se pueden añadir fácilmente
nuevos dispositivos y los periféricos pueden incluso compartirse
entre sistemas de computadoras que utilicen un bus común.
El costo es bajo ya que un simple conjunto de cables es un camino
múltiple compartido. Una razón, por la cual el
diseño del bus es tan difícil, es que la
máxima velocidad del
bus está limitada por factores físicos: la longitud
del bus y el número de dispositivos (y, por consiguiente,
la carga del bus).
4-Los tipos basicos de
memoria ram
Es posible obtener memorias
semiconductoras en una amplia gama de velocidades. Sus tiempos de
ciclo varían desde unos cuantos cientos de nanosegundos,
hasta unas cuantas decenas de nanosegundos. Cuando se presentaron
por primera vez, a fines de la década de 1960, eran mucho
más costosas que las memorias de núcleo
magnético que reemplazaron. Debido a los avances de la
tecnología de VLSI (Very Large Scale Integration –
integración a muy gran escala), el costo de las memorias
semiconductoras ha descendido en forma notable.
Existen dos tipos de
memoria RAM: la SRAM o RAM estática;
y la DRAM o RAM dinámica.
4.1-RAM estática o
SRAM
El almacenamiento en RAM estática se basa
en circuitos lógicos denominados flip-flop, que retienen
la información almacenada en ellos mientras haya
energía suficiente para hacer funcionar el dispositivo (ya
sean segundos, minutos, horas, o aún dias). Un chip de RAM
estática puede almacenar tan sólo una cuarta parte
de la información que puede almacenar un chip de RAM
dinámica de la misma complejidad, pero la
RAM estática no requiere ser actualizada y es normalmente
mucho más rápida que la RAM dinámica (el
tiempo de ciclo de la SRAM es de 8 a 16 veces más
rápido que las SRAM). También es más cara,
por lo que se reserva generalmente para su uso en la memoria de
acceso aleatorio(caché).
Las RAM dinámicas almacenan la
información en circuitos
integrados que contienen condensadores,
que pueden estar cargados o descargados. Como éstos
pierden su carga en el transcurso del tiempo, se debe incluir los
circuitos necesarios para "refrescar" los chips de RAM cada pocos
milisegundos, para impedir la pérdida de su
información. Algunas memorias dinámicas tienen la
lógica
del refresco en la propia pastilla, dando así gran
capacidad y facilidad de conexión a los circuitos. Estas
pastillas se denominan casi estáticas. Mientras la RAM
dinámica se refresca, el procesador no
puede leerla. Si intenta hacerlo en ese momento, se verá
forzado a esperar. Como son relativamente sencillas, las RAM
dinámicas suelen utilizarse más que las RAM
estáticas, a pesar de ser más lentas.
5-Organización interna de los chips de
memoria
Una celda de memoria es capaz de almacenar un bit de
información. Por lo general, varias celdas se organizan en
forma de arreglo.
Las memorias semiconductoras pueden dividirse en: de
tipo bipolar y de MOS(Metal Oxide Semiconductor –
semiconductor de óxido metal). Sin embargo, debe
observarse que éstas no son de ninguna manera las
únicas posibilidades. Existen muchas otras configuraciones
de celdas que representan distintos equilibrios entre varios
diseños.
Ahora se describirá como sería una
celda común bipolar de almacenamiento. Están
asociados dos transistores
inversores para implementar un flip-flop básico. La celda
está conectada a una línea de palabras y a dos
líneas de bits. Normalmente, las líneas de bit se
mantienen en un voltaje menor al de las líneas de
palabras. Bajo estas condiciones los dos diodos tienen
polarización inversa, lo cual impide que fluya corriente a
través de ellos, provocando así que la celda
esté aislada de las líneas de bit. Este sistema
consta de dos operaciones: de
lectura y de escritura.
Dos importantes ventajas de los dispositivos MOS,
en comparación con los dispositivos bipolares, son que
permiten mayores densidades de bits en los chips de circuito
integrado, y fundamentalmente son más fáciles de
fabricar. Sin embargo los transistores MOS son dispositivos de
alta impedancia, lo que lleva a una disipación de potencia
más baja. Su principal desventaja es su velocidad de
operación relativamente lenta.
Como en el caso de las memorias bipolares, son posibles
muchas configuraciones de celda MOS. La más simple es el
circuito flip-flop. La operación del circuito es semejante
a su contraparte bipolar. Los transistores realizan la misma
función que los resistores del punto anterior. Los
transistores corresponden a los dos diodos.
Actúan como interruptores que pueden abrirse o cerrarse
bajo control de la línea de palabras. Cuando estos dos
interruptores están cerrados, el contenido de la celda se
transfiere a las líneas de bit. Como en el caso de la
memoria bipolar, cuando se selecciona una celda en particular, su
contenido puede volverse a escribir aplicando voltajes adecuados
en las líneas de bit.
Tanto la celda bipolar, como su contraparte MOS,
requieren un flujo continuo de corriente de suministro de
energía, a través de una de las dos ramas del
flip-flop. Son capaces de almacenar información
indefinidamente, siempre y cuando se
mantenga este flujo de corriente. Por lo tanto se les
conoce como memorias estáticas. Véase
también RAM estáticas o SRAM.
La alta impedancia que se puede alcanzar en la
tecnología MOS permite construir un tipo diferente de
memoria conocido como memoria dinámica(DRAM). La memoria
dinámica se basa en celdas simples, lo cual permite mayor
densidad de
bits y menor consumo de
energía en relación con las configuraciones
estáticas. Véase también RAM dinámica
o DRAM.
Static Random Access Memory
– Memoria estática de acceso aleatorio Es un
tipo de memoria más rápida y confiable que la DRAM.
El término estática se debe a que necesita ser
refrescada menos veces que la DRAM. Tienen un tiempo de acceso
del orden de 10 a 30 nanosegundos. Un bit de RAM estática
se construye con un circuito flip-flop que permite que la
corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los
dos transistores es activado. Estas memorias no precisan no
precisan de los complejos circuitos de refrescamiento como sucede
con las RAMs dinámicas, pero usan mucha más
energía y espacio. La misma
es usada como memoria caché.
6.2 Sync SRAM
Synchronous Static Random Access Memory
–Es también un tipo de memoria caché. La RAM
sincronizada a ráfagas ofrece datos de modo sincronizado
con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a
ráfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema
está en velocidades de reloj superiores a los 66 mhz,
puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es
significativamente más lento que la memoria PB SRAM la
cual tiene un tiempo de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos
módulos están en desuso porque su precio es
realmente elevado y sus prestaciones
frente a la PB SRAM no son buenas por lo que se fabrican en pocas
cantidades.
Pipeline Burst Static Random Access Memory – Es un
tipo de memoria estática pero que funciona a
ráfagas mediante el uso de registros de
entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a
memoria. Es usada como caché al igual que la SRAM, y la
más rápida de la actualidad con soporte para buses
de 75 mhz ó superiores. Su velocidad de acceso suele ser
de 4 a 8 nanosegundos.
Dynamic Random Access Memory – Memoria
dinámica de acceso aleatorio. Usada en PC como el 386 su
velocidad de refrescamiento típica es de 80 ó 70
nanosegundos. Físicamente aparece en forma de DIMMs o de
SIMMs. Opera de la siguiente manera, las posiciones de memoria
están organizadas en filas y columnas. Cuando accedemos a
la memoria empezamos especificando la fila, después la
columna y por último decimos si deseamos escribir o leer
en esa posición. En ese momento la memoria coloca los
datos de esa posición en la salida si el acceso es de
lectura o toma los datos y los almacena en la posición
seleccionada si el acceso es de escritura.
Fast Page Memory – Memoria en modo paginado.
También es llamada FPM RAM, FPM DRAM ó DRAM puesto
que evoluciona directamente de ella es algo más
rápida ya que su velocidad es de 70 ó 60
nanosegundos. Físicamente aparece como SIMMs de 30
ó 72 contactos. Con el modo pagina, la fila se selecciona
una sola vez para todas las columnas dentro de la fila, dando
así un rápido acceso. Usada en sistemas con
velocidades de bus de 66 mhz, generalmente equipos con procesadores
Pentium de 100 a
200 mhz y en algunos 486.
Extended Data Output Random Access Memory –
Memoria de acceso aleatorio extendida de salida de
datos.Evoluciona de la Fast Page Memory mejorando el rendimiento
en un 10% aproximadamente. Con un refrescamiento de 70, 60
ó 50 nanosegundos. Se instala sobre todo en SIMMs de 72
contactos, aunque también se puede encontrar en forma de
DIMMs de 168 contactos. El secreto de la memoria EDO radica en
una serie de latchs que se colocan a la salida de la memoria para
almacenar los datos en ellos hasta que el bus de datos queda
libre y pueden trasladarse a la CPU, o sea mientras la FPM puede
acceder a un único byte la EDO permite mover un bloque
completo de memoria. Muy común en los Pentium, Pentium
Pro, AMD K6 y los primeros Pentium II.
Synchronous Dynamic Random Access Memory – Memoria
de acceso aleatoria sincronizado. Es casi un 20 % más
rápida que le EDO RAM. La SDRAM entrelaza dos o más
matrices de
memoria interna de tal forma que mientras se está
accediendo a una matriz, la
siguiente se está preparando para el acceso, es capaz de
sincronizar todas las señales de entrada y salida con la
velocidad del reloj de sistema. Es capaz de soportar velocidades
de bus de 100 mhz por lo que su refrescamiento debe ser mucho
más rápido alcanzando el mismo velocidades de 10
nanosegundos. Se encuentra físicamente en módulos
DIMM de 168 contactos. Este tipo de memoria es usada generalmente
en los Pentium II de menos de 350 mhz y en los
Celeron.
Teóricamente es un tipo de memoria SDRAM que
cumple unas estrictas normas referentes
a la calidad de los
chips y diseño de los circuitos impresos establecidos por
Intel para el correcto funcionamiento de la memoria, o sea para
que realmente funcionen a esos 100 mhz. Es usada en los AMD
K6-2,Pentium II a 350 mhz y micros aún más
modernos. La memoria PC100 es la más usada en la
actualidad. Hay todavía realmente una gran
confusión con respecto al módulo PC100, no se sabe
de que consta. Hay varios módulos que se venden hoy como
PC100 pero desgraciadamente, todavía no se opera
fiablemente a los 100 mhz.
Burst Extended Data Ouput Memory Random Access –
Es una evolución de la EDO RAM la cual compite con la
SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una
vez que se accede a un dato de una posición determinada de
memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de
reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del
procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA
580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la
limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por
encima de los 66 mhz.
Enhanced SDRAM – Para superar algunos de los
problemas de
latencia inherentes con los módulos de memoria DRAM
standar, varios fabricantes han incluido una cantidad
pequeña de SRAM directamente en el chip, eficazmente
creando un caché en el chip. Permite tiempos de latencia
más bajos y funcionamientos de 200 mhz. La SDRAM oficia
como un caché dentro de la memoria. Existe actualmente un
chipset que soporta este tipo de memoria, un chipset de socket
7.Una de las desventajas de estas memorias es que su valor es 4
veces mayor al de la memoria DRAM.
Sysnclink DRAM – La SLDRAM es una DRAM fruto de un
desarrollo conjunto y, en cuanto a la velocidad, puede
representar la competencia
más cercana de Rambus. Su desarrollo se lleva a cabo por
un grupo de 12
compañías fabricantes de memoria. La SLDRAM es una
extensión más rápida y mejorada de la
arquitectura
SDRAM que amplía el actual diseño de 4 bancos a 16
bancos. La SLDRAM se encuentra actualmente en fase de desarrollo
y se prevé que entre en fase de producción en el 2000. El ancho de banda de
SLDRAM es de los más altos 3.2GB/s y su costo no seria tan
elevado.
La tecnología RDRAM de Rambus ofrece un
diseño de interface chip a chip de sistema que permite un
paso de datos hasta 10 veces más rápido que la DRAM
estándar, a través de un bus simplificado. Se la
encuentra en módulos RIMM los que conforman el
estándar de formato DIMM pero sus pines no son
compatibles. Su arquitectura está basada en los
requerimientos eléctricos del Canal RAMBUS, un bus de alta
velocidad que opera a una tasa de reloj de 400 MHz el cual
habilita una tasa de datos de 800MHz. Por motivos comerciales se
la denomina PC600, PC700 y PC800 siendo sus capacidades de
transferencia las siguientes:
Rambus PC600: 2×2 bytes/ciclo x 300 Mhz = 1,20
Gb/s
Rambus PC700: 2×2 bytes/ciclo x 356 Mhz = 1,42
Gb/s
Rambus PC800: 2×2 bytes/ciclo x 400 Mhz = 1,60
Gb/s
El bus usa características de líneas de
transmisión para mantener una alta intregridad en la
señal. El control de la temperatura se
hace a través de un disipador y un elastómero
térmicamente conductor.
Especificaciones
· Densidad RIMM:
32MB, 64MB y 128MB
· Voltaje de operación: 2.5V
· RDRAM:
Tasa de reloj 300 MHz, 400 Mhz
Tasa de datos: 600 MHz, 800 Mhz
· Detección serial de presencia con una
EEPROM serial
Se presenta en dos modalidades: RDRAM y RDRAM
concurrente. La RDRAM se encuentra actualmente en fase de
producción, mientras que la RDRAM
concurrente entró en esta etapa en 1997. La tercera
extensión de la línea, la RDRAM directa,
está en período de desarrollo, y empezará a
fabricarse en 1999. A finales de 1996, Rambus llegó a un
acuerdo con Intel que incluía un contrato de
licencia y desarrollo y que permitirá que los chips de
Intel sean compatibles con la memoria Rambus a partir de
1999.
Imagen de los módulos en los
sockets de la placa base.
Se pueden usar hasta tres módulos RIMM en una
placa base de un PC de escritorio, como se muestra en la
imagen.
Aquí el canal Rambus se extiende desde el controlador a
través de cada módulo RIMM usado de una forma
continua hasta que se alcanza la terminación del canal.
Los módulos de continuidad de bajo costo se usan para
mantener la integración del canal en sistemas que tengan
menos de tres módulos RIMM.Un chip en placa SPD (Serial
Presence Detect) PROM se usa para permitir la
inicialización de la información al procesador del
sistema en el encendido. Esta técnica asegura la
compatibilidad de todos los fabricantes de RDRAM Direct Rambus
que producen dispositivos DRAM de varias densidades.
La creciente lista de fabricantes de Rambus que producen
los módulos RIMM incluyen los más importantes
fabricantes de módulos de memoria. Se planea una variante
de los módulos RIMM para los PCs portátiles. La
tecnología Direct Rambus también se desarrolla para
servidores de
gran escala, estaciones de trabajo y aplicaciones de comunicaciones.
A nivel de sistema, los fabricantes que lideran la
industria se
han asociado en torno al Rambus
para desarrollar los componentes de la infraestructura
estandarizada de Direct Rambus incluyendo dispositivos de memoria
RDRAM, controladores de memoria, chips de reloj y
conectores.
Como hemos visto, la aparición de las
computadoras electrónicas es bastante reciente, y ha
tenido un avance vertiginoso. Tanto es así, que hoy en
día la competencia entre
las empresas
productoras de computadores a provocado la aparición de
nuevos modelos con períodos muy cortos de tiempo, los
cuales a veces son de meses. Lo que provoca un aumento en: las
velocidades de los procesadores;
capacidades de almacenamiento; velocidad de transferencia de los
buses; etcétera.
Lo citado anteriormente a exigido a los fabricantes de
memorias, la constante actualización de las mismas,
superándose una y otra vez en velocidad, capacidad y
almacenamiento.
Existen unos tipos de memoria que por tener elevados
costos, han sido
descartados del mercado pese a
tener excelentes rendimientos.
Aunque a veces se ha estancado el mercado debido a la
superproducción de memorias, como ha sucedido con la
SDRAM.
Actualmente el mercado está tomando vigor
nuevamente, debido a que han aparecido procesadores muy
rápidos, los cuales trabajan a velocidades de 1
GHz.
Observando los hechos que han sucedido a lo largo de la
evolución de la memoria, podemos suponer que la misma
continuará creciendo en cuanto a velocidad, capacidad y
disminuyendo el espacio físico ocupado.
*Tanenbaum Andrew S. 1992. Organización de computadores Un enfoque
Estructurado. México:
Prentice Hall.
*Hennessey, John L. – Patterson, David A. 1993.
Arquitectura de Computadores Un enfoque Cuantitativo. Madrid:
McGraw Hill.
*Uranesic, Zvonko G. – Zaky, Safwat G. –
Hamacher, V. Carl. 1988. Organización de computadoras.
México:
McGraw Hill/Interamericana de México.
*Enciclopedia Encarta 99
*La información tomada de Internet se registra de la
siguiente manera:
www.sil.edu.py/alumnos/cuartoa/ment.html
www.sei-benelux.com/dynamic/html/spain/selco/int13-11htm
pchardware.org/memorias.htm
http://www.conozcasuhardware.com/
http://www.kingston.com/
http://www.itsitio.com/Notas/Ediciones/0999_oem_informe_recuperar.htm
www.terra.es./personal/envarios/hard2/tiposram.html
http://www2.hp.com/spain/tmo/htmdocs/rdram.htm
Trabajo enviado y realizado por:
Juan Marcelo Lozano
Estudiante de Ingenieria
lozano[arroba]montevideo.com.uy